台湾专利TW201311358A ２流體噴嘴及基板液處理裝置以及基板液處理方法

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本發明的課題是在於提供一種可使小徑的處理液的液滴均一地噴霧之2流體噴嘴及使用同2流體噴嘴的基板液處理裝置以及基板液處理方法。本發明係使混合從液體吐出部(48)吐出的處理液及從氣體吐出口(52)吐出的氣體而生成的處理液的液滴朝被處理體噴霧之2流體噴嘴(34)及使用同2流體噴嘴(34)的基板液處理裝置(1)以及基板液處理方法中，液體吐出部(48)係於氣體吐出口(52)的內側將對於圓周中心部朝外側方向吐出處理液的複數個液體吐出口(47)配置於同一圓周上。
公开号:TW201311358A
申请号:TW101121922
申请日:2012-06-19
公开日:2013-03-16
发明作者:Satoshi Kaneko；Yoshihiro Kai
申请人:Tokyo Electron Ltd；
IPC主号:H01L21-00

专利说明:
2流體噴嘴及基板液處理裝置以及基板液處理方法
本發明是有關用以使混合從液體吐出部吐出的處理液及從氣體吐出口吐出的氣體而生成的處理液的液滴朝被處理體噴霧之2流體噴嘴、及供以使用同2流體噴嘴來進行基板的液處理之基板液處理裝置以及基板液處理方法。
以往，在製造半導體零件或平板顯示器等時，是以洗淨液等的處理液來液處理半導體晶圓或液晶用基板等的基板。
在進行此基板的液處理之基板液處理裝置中，為了將處理液的液滴噴霧至基板的表面，而使用2流體噴嘴。
2流體噴嘴是在下端部中央形成用以吐出處理液的圓孔狀的液體吐出部，在該液體吐出部的外側形成用以吐出氣體的圓環狀的氣體吐出口。然後，2流體噴嘴是從液體吐出部朝下方吐出預定流量的處理液，且從氣體吐出口朝內側的處理液吐出預定流量的氣體，在2流體噴嘴的外部(下方)混合處理液與氣體，以氣體的吐出壓力來使處理液分散而產生處理液的液滴，將成為霧狀的處理液的液滴朝基板噴霧(例如參照專利文獻1)。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2004-356317號公報
可是，就上述以往的2流體噴嘴而言，是以從其外側的氣體吐出口吐出的氣體來使從2流體噴嘴的下端部中央的圓孔狀的液體吐出部朝下圓柱狀地吐出的處理液分散，而生成處理液的液滴。在如此的以往的2流體噴嘴，處理液不會被良好地分散，形成粒徑不會變小的液滴，所被產生的液滴的粒徑不均一，恐有處理液的液滴之液處理效果(例如洗淨效果等)降低之虞。
於是，本發明係使混合從液體吐出部吐出的處理液及從氣體吐出口吐出的氣體而生成的處理液的液滴朝被處理體噴霧之2流體噴嘴，前述液體吐出部係以在前述氣體吐出口的內側配置於同一圓周上的複數個液體吐出口所構成，前述複數的液體吐出口係對於圓周中心部朝外側方向吐出處理液。
又，前述複數的液體吐出口係將鄰接的液體吐出口的間隔設為從各液體吐出口吐出的處理液彼此間不會接觸的間隔。
又，前述液體吐出口與前述氣體吐出口的間隔係設為從鄰接的液體吐出口吐出的處理液彼此間不會接觸地與氣體混合的間隔。
又，前述複數的液體吐出口係鄰接的液體吐出口的間隔為前述液體吐出口的直徑以上的間隔。
又，前述氣體吐出口為縫隙形狀。
又，前述氣體吐出口係朝下方吐出氣體。
又，具有從前述氣體吐出口使氣體迴旋而吐出的迴旋流產生部。
又，本發明係以處理液的液滴來液處理基板的基板液處理裝置，其特徵係具備：基板保持手段，其係一邊保持基板一邊使旋轉；杯，其係包圍被保持於基板保持手段的基板，接受處理液；及2流體噴嘴，其係對基板吐出處理液的液滴，前述2流體噴嘴係混合從液體吐出部吐出的處理液及從氣體吐出口吐出的氣體而生成液滴，前述液體吐出部係以在前述氣體吐出口的內側配置於同一圓周上的複數個液體吐出口所構成，前述複數的液體吐出口係對於圓周中心部朝外側方向吐出處理液。
又，前述複數的液體吐出口係將鄰接的液體吐出口的間隔設為從各液體吐出口吐出的處理液彼此間不會接觸的間隔。
又，前述液體吐出口與前述氣體吐出口的間隔係設為從鄰接的液體吐出口吐出的處理液彼此間不會接觸地與氣體混合的間隔。
又，本發明係使混合從2流體噴嘴之液體吐出部吐出的處理液及從氣體吐出口吐出的氣體而生成的處理液的液滴朝基板噴霧，藉此以處理液的液滴來液處理基板之基板液處理方法，其特徵為：以前述2流體噴嘴來液處理。
本發明是使從液體吐出部的各液體吐出口朝外側吐出的處理液及從氣體吐出口吐出的氣體混合。藉此，從各液體吐出口吐出的處理液會被良好地分散而使處理液的液滴的粒徑能夠形成均一，因此可使處理液的液滴之液處理效果提升。
以下，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的2流體噴嘴，具有同2流體噴嘴的基板液處理裝置，及使用同2流體噴嘴的基板液處理方法的具體構成。
如圖1所示，基板液處理裝置1是在前端部設置用以將作為被處理體的基板2(在此是半導體晶圓)匯集複數片(例如25片)以載體3來搬入及搬出的基板搬出入部4，在基板搬出入部4的後部設置用以搬送被收容於載體3的基板2的基板搬送部5，在基板搬送部5的後部設置用以實施基板2的洗淨或乾燥等的各種處理的基板處理部6。
基板搬出入部4是使4個的載體3緊貼於基板搬送部5的前壁7的狀態下左右取間隔載置。
基板搬送部5是在內部容納基板搬送裝置8及基板交接台9。然後，基板搬送部5是利用基板搬送裝置8在被載置於基板搬出入部4的其中1個的載體3與基板交接台9之間搬送基板2。
基板處理部6是在中央部容納基板搬送裝置10，且在基板搬送裝置10的左右兩側前後排列收容基板處理室11~22。
然後，在基板處理部6，利用基板搬送裝置10在基板搬送部5的基板交接台9與各基板處理室11~22之間一片一片地搬送基板2，利用各基板處理室11~22來一片一片地處理基板2。
各基板處理室11~22是形成同樣的構成，代表性地說明有關基板處理室11的構成。如圖2所示，基板處理室11是具有：用以一邊使基板2保持於水平一邊旋轉的基板保持手段23、及用以朝保持於基板保持手段23的基板2的上面吐出處理液(在此是洗淨液)的處理液吐出手段24、及用以朝保持於基板保持手段23的基板2的上面吐出洗滌液的洗滌液吐出手段25。該等的基板保持手段23、處理液吐出手段24及洗滌液吐出手段25是被控制手段26所控制。另外，控制手段26會控制基板搬送裝置8、10等基板液處理裝置1的全體。
基板保持手段23是在旋轉軸27的上端部水平地具備圓板狀的平台28，在平台28的周緣部，與基板2的周緣部接觸而水平地保持基板2的複數個基板保持體29會在圓周方向取間隔而安裝。旋轉軸27是連接旋轉驅動機構30。旋轉驅動機構30是使旋轉軸27及平台28旋轉，使以基板保持體29來保持於平台28的基板2旋轉。此旋轉驅動機構30是連接至控制手段26，在控制手段26進行旋轉控制。
並且，在基板保持手段23的周圍，昇降自如地設有使上方開口的杯31，以杯31來包圍載置於平台28的基板2，而防止處理液或洗滌液的飛散，且接受處理液或洗滌液。在杯31連接昇降機構32。昇降機構32是使杯31對於基板2相對性地上下昇降。此昇降機構32是連接至控制手段26，在控制手段26進行昇降控制。
處理液吐出手段24是在比平台28更上方可水平移動地配置臂33，在臂33的前端部安裝有外部混合型的2流體噴嘴34，作為處理液吐出噴嘴。在臂33連接移動機構35。移動機構35是使2流體噴嘴34水平移動於基板2的外方的退避位置與基板2的中央部上方的開始位置之間。此移動機構35是連接至控制手段26，在控制手段26進行移動控制。
並且，處理液吐出手段24是形成用以對2流體噴嘴34供給處理液的液體供給流路36、及用以對2流體噴嘴34供給氣體的氣體供給流路37。
液體供給流路36是經由流量調整器39來連接用以供給處理液(洗淨液)的液體供給源38。流量調整器39是調整供給至2流體噴嘴34的處理液的流量。此流量調整器39是連接至控制手段26，在控制手段26進行開閉控制及流量控制。
氣體供給流路37是經由流量調整器41來連接至用以供給氣體(氮氣體)的氣體供給源40。流量調整器41是調整供給至2流體噴嘴34的氣體的流量。此流量調整器41是連接至控制手段26，在控制手段26進行開閉控制及流量控制。
2流體噴嘴34是如圖3~圖5所示，在噴嘴本體42的內部形成流動處理液的液體流路44。在此噴嘴本體42的外周部安裝噴嘴罩43，在噴嘴本體42的外周凹部與噴嘴罩43的內周部之間形成流動氣體的氣體流路45。
液體流路44是在噴嘴本體42的上部所形成的液體流入口46連接液體供給流路36。在噴嘴本體42的下端部，使從圓周的中心朝外周方向斜斜地向下傾斜的複數個(在此是32個)圓孔狀的液體吐出口47形成於同一圓周上，構成用以在該等複數個液體吐出口47吐出處理液的液體吐出部48。藉此，2流體噴嘴34可從液體吐出部48的各液體吐出口47朝圓周的外周方向斜斜地向下將由液體供給流路36供給的處理液吐出成複數的細條狀。另外，液體吐出口47是從形成於液體流路44的外周端緣的入口朝形成於比液體流路44的內徑更外側的出口形成放射狀，處理液會被複數細條狀地擴散吐出於比液體流路44的內徑更廣的範圍。
氣體流路45是在形成於噴嘴罩43的上部的氣體流入口49連接氣體供給流路37。在噴嘴本體42的下部設有由平面視順時針朝下方傾斜的複數個(在此是6個)的傾斜孔50所構成的迴旋流產生部51，在噴嘴本體42的前端部與噴嘴罩43的前端部之間形成由與液體吐出部48同心圓上的縫隙形狀的圓環孔所構成的氣體吐出口52。藉此，2流體噴嘴34會使由氣體供給流路37供給的氣體在迴旋流產生部51迴旋，而從氣體吐出口52朝下方吐出。此時，氣體對於基板2是吐出於大略鉛直方向為理想。
如此，2流體噴嘴34是將在同一圓周上配置朝圓周的外周方向斜斜地下向吐出處理液的複數個液體吐出口47之液體吐出部48形成於在與液體吐出部48同心圓上配置的圓環狀的氣體吐出口52的內側。
而且，2流體噴嘴34是由液體吐出部48的複數個液體吐出口47來將處理液往外周方向斜斜地向下吐出，且由縫隙形狀的氣體吐出口52來將氣體朝下方吐出。藉此，處理液與氣體會在液體吐出部48及氣體吐出口52的下方附近衝突，藉由氣體的吐出壓力來分散處理液而形成霧狀的處理液的液滴，將該處理液的液滴噴霧至作為被處理體的基板2的表面。此時，由於處理液會被吐出成複數的細條狀，因此氣體與處理液的接觸面積會變大，可均一且效率佳地形成粒徑小的液滴。又，由於從縫隙形狀的氣體吐出口52吐出氣體，因此可使氣體均一地衝突於被吐出成條狀的處理液，可使生成均一的液滴。
在此，2流體噴嘴34是在使處理液從液體吐出口47吐出時，以處理液彼此間不會被從各液體吐出口47吐出的處理液間產生的負壓所吸引而接觸的方式，將鄰接的液體吐出口47的間隔分離成預定距離以上。具體而言，使鄰接的液體吐出口47的外周端的間隔形成液體吐出口47的開口徑以上。藉此，可防止吐出成複數的細條狀的處理液彼此間接觸而形成粗的圓柱狀，因此可使粒徑小的液滴均一地生成。
並且，2流體噴嘴34是以在使處理液從液體吐出口47吐出時剛從各液體吐出口47吐出後處理液與氣體能夠衝突的方式，將液體吐出部48的液體吐出口47與氣體吐出口52的間隔形成接近預定距離以下。具體而言是形成從各液體吐出口47吐出的處理液彼此間不會接觸的狀態下與氣體衝突的距離。藉此，因為在處理液為複數的細條狀的狀態下與氣體衝突，所以可均一地生成粒徑小的液滴。又，若處理液的吐出角度產生偏離，則恐有發生處理液與氣體衝突的高度偏差之虞，但藉由使處理液剛從液體吐出口47吐出後即與氣體衝突，可抑制衝突高度的偏差。如此一來，藉由抑制處理液與氣體衝突時的狀態的偏差，可生成均一的液滴。
如圖2所示，洗滌液吐出手段25是在比平台28更上方可水平移動地配置臂53，在臂53的前端部安裝有洗滌液吐出噴嘴54。在臂53連接移動機構55。移動機構55可使洗滌液吐出噴嘴54移動於基板2的外方的退避位置與基板2的中央正上方的開始位置之間。此移動機構55是連接至控制手段26，在控制手段26進行移動控制。
並且，洗滌液吐出手段25是經由流量調整器57及洗滌液供給流路58來將洗滌液吐出噴嘴54連接至用以供給洗滌液的洗滌液供給源56。流量調整器57是調整供給至洗滌液吐出噴嘴54的洗滌液的流量。此流量調整器57是連接至控制手段26，在控制手段26進行開閉控制及流量控制。
基板液處理裝置1是如以上說明那樣構成，按照記憶於可在控制手段26(電腦)讀取的記憶媒體59的基板液處理程式，在各基板處理室11~22處理基板2。另外，記憶媒體59是只要可記錄基板液處理程式等的各種程式的媒體即可，可為ROM或RAM等的半導體記憶型的記憶媒體，或硬碟、CD-ROM等的碟型的記憶媒體。
其次，說明有關根據基板液處理程式來實行的基板處理方法。首先，利用基板搬送裝置8來從載體3取出基板2而搬送至基板交接台9。被搬送至基板交接台9的基板2是利用被容納於基板處理部6的基板搬送裝置10來搬入至各基板處理室11~22，被保持於基板保持體29。在各基板處理室11~22中，藉由控制手段26來控制旋轉驅動機構30而使基板保持手段23的平台28及保持於基板保持體29的基板2以預定旋轉速度旋轉。然後，使臂33水平移動，而使2流體噴嘴34移動至基板2的中央部上方。然後，藉由控制手段26來使流量調整器39，41開放及流量控制，使由液體供給源38及氣體供給源40供給的處理液及氣體從2流體噴嘴34的液體吐出部48及氣體吐出口52朝基板2的上面吐出。
藉此，從液體吐出部48吐出的處理液及從氣體吐出口52吐出的氣體會在比2流體噴嘴34的前端還要下方混合而形成處理液的液滴，霧狀的處理液的液滴會被噴霧至基板2。
然後，基板液處理程式是藉由控制手段26來控制移動機構35而使臂33水平地往復移動。藉此，使2流體噴嘴34在基板2的中央部上方與基板2的外周端緣上方之間往復移動，進行基板2的表面全體的液處理。然後，藉由控制手段26來閉塞控制流量調整器39，41，停止來自2流體噴嘴34的處理液及氣體的吐出。然後，藉由控制手段26來控制移動機構35，使2流體噴嘴34移動至基板2的外周外方的退避位置。
2流體噴嘴34的處理終了後，藉由控制手段26來控制移動機構55，使臂53水平地移動，而使洗滌液吐出噴嘴54移動至基板2的中央部上方。然後，使由洗滌液供給源56供給的洗滌液朝基板2的上面吐出。一邊吐出洗滌液，一邊使臂53從基板2的中央部上方朝外周端緣方向移動，進行基板2的表面全體的洗滌處理。洗滌液吐出噴嘴54移動至基板2的外周外方之後，停止洗滌液的吐出。然後，使基板2旋轉來進行乾燥處理。
乾燥處理終了後，基板2是利用基板搬送裝置10來從基板處理室11~22搬出，經由與搬入時相反的工程來往載體3搬送。
藉此，可使用處理液的液滴來液處理基板2的表面全體。另外，若從鄰接的液體吐出口47吐出的處理液彼此間接觸而處理液形成圓柱狀，則將無法使處理液的液滴形成均一且小徑。為此，以從鄰接的液體吐出口47吐出的處理液彼此間不會接觸的流量及流速來吐出處理液及氣體，而使處理液的液滴形成均一且小徑。另外，在本實施例中，從2流體噴嘴吐出的處理液可為常溫的純水或被加熱的純水。此時，純水的溫度是由基板處理室內的溫度與濕度的關係只要不超過飽和蒸氣壓的溫度即可。並且，不限於純水，亦可為藥液。
如以上說明那樣，在上述2流體噴嘴34及使用同2流體噴嘴34的基板液處理裝置1以及基板液處理方法中，是在氣體吐出口52的內側將朝圓周的外周方向斜斜地向下吐出處理液的複數個液體吐出口47配置於同一圓周上，作為2流體噴嘴34的液體吐出部48，使從液體吐出部48的各液體吐出口47往外周方向斜斜地向下吐出的處理液與從氣體吐出口52向下吐出的氣體混合。
藉由，處理液會被吐出成複數的細條狀，因此氣體與處理液的接觸面積會變大，可有效率地使粒徑小的液滴形成均一，可使處理液的液滴之液處理效果提升。又，由於從配置於圓周上的複數個液體吐出口47吐出處理液，因此相較於從下端部中央的液體吐出口圓柱狀地吐出處理液的以往2流體噴嘴，可使處理液的液滴良好地擴散。藉由使液滴擴散，可液處理的範圍會變廣，可使處理效率提升。
又，由於從縫隙形狀的氣體吐出口52吐出氣體，因此可使氣體均一地衝突於被吐出成條狀的處理液，可使生成均一的液滴。
並且，2流體噴嘴34是在使處理液從液體吐出部48的液體吐出口47吐出時，以處理液彼此間不會被從各液體吐出口47吐出的處理液間產生的負壓所吸引而接觸的方式，將鄰接的液體吐出口47的間隔分離成預定距離以上。藉此，可防止吐出成複數的細條狀的處理液彼此間接觸而形成粗的圓柱狀，因此可使粒徑小的液滴均一地生成。
而且，以處理液剛從各液體吐出口47吐出後能夠與氣體衝突的方式，將液體吐出部48的液體吐出口47與氣體吐出口52的間隔形成接近預定距離以上。藉此，在處理液為複數的細條狀的狀態下與氣體衝突，可均一地生成粒徑小的液滴。並且，藉由使處理液剛從液體吐出口47吐出後即與氣體衝突，可抑制衝突高度的偏差，可抑制處理液與氣體衝突時的狀態的偏差來均一地生成液滴。
如圖6(a)所示，上述基板液處理裝置1是由一個的氣體供給源40來對全部的基板處理室11~22的2流體噴嘴34供給氣體。亦即，基板液處理裝置1是在氣體供給源40並聯複數個(在此是12個)的氣體供給流路37，在各氣體供給流路37連接基板處理室11~22的2流體噴嘴34。並且，基板液處理裝置1是在各氣體供給流路37設置流量調整器41及開閉閥60，且將流量調整器41及開閉閥60連接至控制手段26。然後，基板液處理裝置1是藉由控制手段26來控制流量調整器41，藉此從氣體供給流路37供給至2流體噴嘴34的氣體的流量會控制成一定流量。
從氣體供給流路37供給至2流體噴嘴34的氣體的控制並非限於氣體的流量控制成一定流量時，亦可將被供給至2流體噴嘴34的氣體的吐出壓力控制成一定壓力。
例如圖6(b)所示，在各氣體供給流路37從上游側依序設置開閉閥60、流量調整器41及壓力感測器61，且將該等的開閉閥60、流量調整器41、壓力感測器61連接至控制手段26。然後，以在壓力感測器61所被檢測出的氣體的壓力能夠成為被預定的一定壓力之方式控制流量調整器41。或，如圖6(c)所示，在各氣體供給流路37從上游側依序設置開閉閥60、電動氣動閥62及壓力感測器61、且將該等的開閉閥60、電動氣動閥62、壓力感測器61連接至控制手段26。然後，以在壓力感測器61所被檢測出的氣體的壓力能夠成為被預定的一定壓力之方式控制電動氣動閥62。另外，亦可構成串聯壓力感測器61及電動氣動閥62，以在壓力感測器61所被檢測出的氣體的壓力能夠成為一定壓力的方式驅動電動氣動閥62。
如此，從氣體供給流路37供給至2流體噴嘴34的氣體的控制是可進行流量控制或壓力控制。但，當吐出氣體的2流體噴嘴34的氣體吐出口52的剖面積(開口面積)有偏差時，即使將流量設為一定，還是會因為流速與剖面積成反比，所以實際被吐出的氣體的流速會大幅度地偏差。另一方面，若將壓力設為一定，則因為流速與壓力成正比，因此即使2流體噴嘴34的氣體吐出口52的剖面積(開口面積)有偏差，流速還是會成為一定。因此，為了使從2流體噴嘴34吐出的氣體的吐出條件一致，最好氣體的供給是以壓力控制來進行。特別是在並聯複數的2流體噴嘴34時，因為在各2流體噴嘴34的氣體吐出口52的剖面積恐有產生偏差之虞，所以最好以壓力控制來進行。此情況，只要控制成在設於各氣體供給流路37的全部壓力感測器61所被檢測的氣體的壓力能夠成為被預定的一定壓力即可。
在以壓力控制進行對2流體噴嘴34的氣體供給時，求取比可從基板2的表面良好地除去微粒的壓力更高，比對基板2的表面圖案造成損傷的壓力更低的壓力之範圍，在該壓力範圍對2流體噴嘴34供給氣體。特別是在並聯複數的2流體噴嘴34時，設定成全部的2流體噴嘴34的吐出壓力會成為上述範圍內。並且，最好是縮小壓力感測器61與2流體噴嘴34之間的氣體供給流路37的壓力損失，且使在並列的各氣體供給流路37的壓力感測器61與2流體噴嘴34之間的壓力損失成為一定。而且，最好在並列的各氣體供給流路37中使壓力感測器61與2流體噴嘴34的距離形成相同。藉此，可容易使在並列的各氣體供給流路37的壓力感測器61與2流體噴嘴34之間的壓力損失形成一定，可將被供給至2流體噴嘴34的氣體的吐出壓力設為一定壓力。另外，對2流體噴嘴34的液體供給亦可以壓力控制進行。
1‧‧‧基板液處理裝置
2‧‧‧基板
34‧‧‧2流體噴嘴
47‧‧‧液體吐出口
48‧‧‧液體吐出部
52‧‧‧氣體吐出口
圖1是表示基板液處理裝置的平面圖。
圖2是表示基板處理室的模式圖。
圖3是表示2流體噴嘴的正面剖面圖。
圖4是同擴大底面圖。
圖5是圖3的I-I剖面圖。
圖6是表示氣體供給流路的說明圖。
2‧‧‧基板
33‧‧‧臂
34‧‧‧2流體噴嘴
36‧‧‧液體供給流路
37‧‧‧氣體供給流路
42‧‧‧噴嘴本體
43‧‧‧噴嘴罩
44‧‧‧液體流路
45‧‧‧氣體流路
46‧‧‧液體流入口
47‧‧‧液體吐出口
48‧‧‧液體吐出部
49‧‧‧氣體流入口
50‧‧‧傾斜孔
51‧‧‧迴旋流產生部
52‧‧‧氣體吐出口

权利要求:
Claims (11)
[1] 一種2流體噴嘴，係使混合從液體吐出部吐出的處理液及從氣體吐出口吐出的氣體而生成的處理液的液滴朝被處理體噴霧之2流體噴嘴，其特徵為：前述液體吐出部係以在前述氣體吐出口的內側配置於同一圓周上的複數個液體吐出口所構成，前述複數的液體吐出口係對於圓周中心部朝外側方向吐出處理液。
[2] 如申請專利範圍第1項之2流體噴嘴，其中，前述複數的液體吐出口係將鄰接的液體吐出口的間隔設為從各液體吐出口吐出的處理液彼此間不會接觸的間隔。
[3] 如申請專利範圍第1或2項之2流體噴嘴，其中，前述液體吐出口與前述氣體吐出口的間隔係設為從鄰接的液體吐出口吐出的處理液彼此間不會接觸地與氣體混合的間隔。
[4] 如申請專利範圍第1~3項中的任一項所記載之2流體噴嘴，其中，前述複數的液體吐出口係鄰接的液體吐出口的間隔為前述液體吐出口的直徑以上的間隔。
[5] 如申請專利範圍第1~4項中的任一項所記載之2流體噴嘴，其中，前述氣體吐出口為縫隙形狀。
[6] 如申請專利範圍第1~5項中的任一項所記載之2流體噴嘴，其中，前述氣體吐出口係朝下方吐出氣體。
[7] 如申請專利範圍第1~6項中的任一項所記載之2流體噴嘴，其中，具有從前述氣體吐出口使氣體迴旋而吐出的迴旋流產生部。
[8] 一種基板液處理裝置，係以處理液的液滴來液處理基板的基板液處理裝置，其特徵係具備：基板保持手段，其係一邊保持基板一邊使旋轉；杯，其係包圍被保持於基板保持手段的基板，接受處理液；及2流體噴嘴，其係對基板吐出處理液的液滴，前述2流體噴嘴係混合從液體吐出部吐出的處理液及從氣體吐出口吐出的氣體而生成液滴，前述液體吐出部係以在前述氣體吐出口的內側配置於同一圓周上的複數個液體吐出口所構成，前述複數的液體吐出口係對於圓周中心部朝外側方向吐出處理液。
[9] 如申請專利範圍第8項之基板液處理裝置，其中，前述複數的液體吐出口係將鄰接的液體吐出口的間隔設為從各液體吐出口吐出的處理液彼此間不會接觸的間隔。
[10] 如申請專利範圍第8或9項之基板液處理裝置，其中，前述液體吐出口與前述氣體吐出口的間隔係設為從鄰接的液體吐出口吐出的處理液彼此間不會接觸地與氣體混合的間隔。
[11] 一種基板液處理方法，係使混合從2流體噴嘴之液體吐出部吐出的處理液及從氣體吐出口吐出的氣體而生成的處理液的液滴朝基板噴霧，藉此以處理液的液滴來液處理基板之基板液處理方法，其特徵為：以如申請專利範圍第1項所記載的2流體噴嘴來液處理。

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